本文来自方正证券研究所年8月20日发布的报告《半导体刻蚀机研究框架》，欲了解具体内容，请阅读报告原文，陈杭S8ina
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刻蚀高价值量+刻蚀用量提升，带动全球刻蚀设备5%复合增速。刻蚀作为晶圆前道生产工艺中最重要的三类设备之一，价值量占比达到25%。此外，随着半导体器件结极复杂程度提升，尤其线宽缩小与结极3D化也横向拉动单一半导体器件刻蚀用量大幅提升。未来5年，全球刻蚀设备市场有望实现5%的复合年增速，预计年市场规模将达到亿美元。
材料与工艺持续变革，刻蚀壁垒持续加强。更小尺寸、新材料、新晶体管结构等发革对晶囿刻蚀提出了更高的要求。选择性要求方面，多层薄膜刻蚀已成为刚需；准确性要求方面随着存储等器件持续垂直扩展，刻蚀既要在深宽比越来越高情况下保证形成最佳刻蚀轮廓，也要保持相同的特性关键尺寸以维持横向器件密度不变。
下游扩产+国产替代，国产厂商迎来黄金发展期。近年来国产厂商产品技术实力快速跃进，市场开拓持续取得新进展，相较其他晶圆前道制造设备，刻蚀设备国产化率已接近20%，处于高位。随着国内晶圆厂、存储器厂商扩产，乘着市场和国产替代的东风，国产刻蚀设备厂商将迎来黄金发展期，建议
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