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三星申请电子装置框架专利,实现硅含量分区

来源:框架 时间:2024/12/22

金融界年12月27日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“电子装置框架和包括电子装置框架的电子装置“,公开号CNA,申请日期为年5月。

专利摘要显示,公开了一种电子装置框架和包括该电子装置框架的电子装置。根据特定示例实施例,电子装置框架包括支撑构件,支撑构件包括:从表面起预定深度以内的表面区域;以及与表面区域以外的剩余区域相对应的芯部区域。表面区域可以包括平面部分和多个凹部。在支撑构件的表面上形成有氧化膜成,表面区域中的硅含量可以低于芯部区域中的硅含量。此外,其他各种示例实施例也是可能的。

本文源自:金融界

作者:情报员

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